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BQ2201PN

更新时间： 2024-11-08 22:39:39
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德州仪器 - TI 电源电路电源管理电路静态存储器光电二极管控制器
页数 文件大小 规格书
12页 109K
描述
SRAM Nonvolatile Controller Unit

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BQ2201PN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.65Is Samacsys：N
可调阈值：YES模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e4
长度：9.27 mm信道数量：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.57 mm子类别：Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：5 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

BQ2201PN 数据手册

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bq2201  
SRAM Nonvolatile Controller Unit  
During a power failure, the external  
Features  
General Description  
SRAM is switched from the VCC  
supply to one of two 3V backup sup-  
➤ Power monitoring and switching  
for 3-volt battery-backup applica-  
tions  
The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile  
plies. On a subsequent power-up, the  
Controller Unit provides all necessary  
SRAM is write-protected until a  
functions for converting a standard  
power-valid condition exists.  
CMOS SRAM into nonvolatile  
➤ Write-protect control  
read/write memory.  
The bq2201 is footprint- and timing-  
compatible with industry stan-  
dards with the added benefit of a  
chip-enable propagation delay of  
less than 10ns.  
➤ 3-volt primary cell inputs  
A precision comparator monitors the  
5V VCC input for an out-of-tolerance  
condition. When out of tolerance is  
detected, a conditioned chip-enable  
output is forced inactive to write-  
protect any standard CMOS SRAM.  
➤ Less than 10ns chip-enable  
propagation delay  
➤ 5% or 10% supply operation  
Pin Connections  
Pin Names  
VOUT  
Supply output  
BC1—BC2 3-volt primary backup cell inputs  
NC  
1
2
3
4
5
6
16  
15  
14  
13  
12  
11  
NC  
THS  
CE  
Threshold select input  
chip-enable active low input  
Conditioned chip-enable output  
+5-volt supply input  
Ground  
VOUT  
NC  
VCC  
NC  
V
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
OUT  
CECON  
VCC  
VSS  
BC  
2
BC  
CE  
CE  
BC2  
NC  
BC1  
NC  
1
THS  
CON  
THS  
NC  
CECON  
V
SS  
7
8
10  
9
NC  
CE  
NC  
No Connect  
8-Pin Narrow DIP or SOIC  
V
SS  
PN220101.eps  
16-Pin SOIC  
PN2201E.eps  
Functional Description  
An external CMOS static RAM can be battery-backed  
using the VOUT and the conditioned chip-enable output  
pin from the bq2201. As VCC slews down during a power  
failure, the conditioned chip-enable output CECON is  
forced inactive independent of the chip-enable input CE.  
If THS is tied to VSS, power-fail detection occurs at 4.62V  
typical for 5% supply operation. If THS is tied to VCC  
power-fail detection occurs at 4.37V typical for 10% sup-  
ply operation. The THS pin must be tied to VSS or VCC for  
proper operation.  
,
This activity unconditionally write-protects external If a memory access is in process during power-fail detec-  
SRAM as VCC falls to an out-of-tolerance threshold VPFD  
.
tion, that memory cycle continues to completion before the  
memory is write-protected. If the memory cycle is not ter-  
minated within time tWPT, the CECON output is uncondi-  
tionally driven high, write-protecting the memory.  
VPFD is selected by the threshold select input pin, THS.  
Oct. 1998 D  
1
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BQ2201PN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

 SRAM Nonvolatile Controller IC for 1 SRAM Bank 8-SOIC 0 to 70

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