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Datasheet > 电源电路 > 电源管理电路> BQ2018TS-E1
BQ2018TS-E1 PDF预览

BQ2018TS-E1

更新时间： 2024-10-28 12:34:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 电源电路电源管理电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 712K
描述
Power Minder IC

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BQ2018TS-E1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.32Is Samacsys：N
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：4.39 mm湿度敏感等级：2
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.8 V
标称供电电压 (Vsup)：4.25 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3 mmBase Number Matches：1

BQ2018TS-E1 数据手册

 浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BQ2018TS-E1的Datasheet PDF文件第7页 
bq2018  
Power Minder™ IC  
The bq2018 also features 128 bytes  
of NVRAM registers. The upper 13  
bytes of NVRAM contain the capac-  
Features  
General Description  
➤ Multifunction charge/discharge The bq2018 is a low-cost charge/dis-  
ity monitoring and status informa-  
tion. The RBI input operates from  
an external power storage source  
such as a capacitor or a series cell in  
the battery pack, providing register  
nonvolatility for periods when the  
battery is shorted to ground or when  
the battery charge state is not suffi-  
cient to operate the bq2018. During  
this mode, the register backup cur-  
rent is less than 100nA.  
counter  
charge counter peripheral packaged in  
an 8-pin TSSOP or SOIC. It works  
with an intelligent host controller, pro-  
viding state-of-charge information for  
rechargeable batteries.  
➤ Resolves signals less than 12.5µV  
➤ Internal offset calibration im-  
proves accuracy  
The bq2018 measures the voltage  
drop across a low-value series sense  
resistor between the negative termi-  
nal of the battery and the battery  
pack ground contact. By using the ac-  
cumulated counts in the charge,  
discharge, and self-discharge regis-  
ters, an intelligent host controller can  
determine battery state-of-charge in-  
formation. To improve accuracy, an  
offset count register is available. The  
system host controller is responsible  
for the register maintenance by reset-  
ting the charge in/out and self-  
discharge registers as needed.  
➤ 1024 bits of NVRAM configured as  
128 x 8  
➤ Internal temperature sensor for  
self-discharge estimation  
Packaged in an 8-pin TSSOP or  
SOIC, the bq2018 is small enough  
to fit in the crevice between two A-  
size cells or within the width of a  
prismatic cell.  
➤ Single-wire serial interface  
➤ Dual operating modes:  
- Operating: <80µA  
- Sleep: <10µA  
➤ REG output for low-cost mi-  
croregulation  
➤ Internal timebase eliminates ex-  
ternal components  
➤ 8-pin TSSOP or SOIC allows bat-  
tery pack integration  
Pin Connections  
Pin Names  
REG  
VCC  
Regulator output  
Supply voltage input  
Ground  
WAKE  
SR1  
Wake-up output  
Current sense input 1  
Current sense input 2  
Register backup input  
VSS  
SR2  
REG  
1
2
3
4
8
7
6
5
WAKE  
SR1  
SR2  
RBI  
HDQ  
Data input/output  
RBI  
V
CC  
V
SS  
HDQ  
8-Pin TSSOP or Narrow SOIC  
PN-201801.eps  
SLUS003–JUNE 1999 C  
1
1234567...25

中文翻译

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BQ2018TS-E1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BQ2018TS-E1TR TI

完全替代

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