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BPX86

更新时间: 2024-11-05 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 207K
描述
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

BPX86 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.34
最大暗电源:200 nAJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C最长响应时间:0.000008 s
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)

BPX86 数据手册

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NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen  
Silicon NPN Phototransistor Arrays  
BPX 80  
BPX 82 ... 89  
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.  
Wesentliche Merkmale  
Features  
Speziell geeignet für Anwendungen im  
Bereich von 440 nm bis 1070 nm  
Hohe Linearität  
Especially suitable for applications from  
440 nm to 1070 nm  
High linearität  
Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem  
Epoxy  
Multiple-digit array package of transparent  
epoxy  
Gruppiert lieferbar  
Available in groups  
Anwendungen  
Applications  
Miniaturlichtschranken für Gleich- und  
Wechsellichtbetrieb  
Lochstreifenleser  
Miniature photointerrupters  
Punched tape reading  
Industrial electronics  
Industrieelektronik  
For control and drive circuits  
“Messen/Steuern/Regeln”  
03.96  
Semiconductor Group  
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