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BPX81-2/3

更新时间: 2024-11-05 03:22:27
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欧司朗 - OSRAM 光电静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
NPN-Silizium-Fototransistor

BPX81-2/3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.40.70.80
风险等级:5.62配置:SINGLE
最大暗电源:50 nA红外线范围:YES
JESD-609代码:e3标称光电流:1.9 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最大通态电流:0.05 A最高工作温度:80 °C
最低工作温度:-40 °C光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR
峰值波长:850 nm最大功率耗散:0.09 W
最长响应时间:0.000006 s形状:ROUND
尺寸:2 mm子类别:Photo Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
Base Number Matches:1

BPX81-2/3 数据手册

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NPN-Silizium-Fototransistor  
Silicon NPN Phototransistor  
BPX 81  
Wesentliche Merkmale  
Features  
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich  
von 440 nm bis 1070 nm  
• Especially suitable for applications from  
440 nm to 1070 nm  
• Hohe Linearität  
• High linearity  
• Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy  
• Gruppiert lieferbar  
• One-digit array package of transparent epoxy  
• Available in groups  
Anwendungen  
Applications  
• Computer-Blitzlichtgeräte  
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und  
Wechsellichtbetrieb  
• Computer-controlled flashes  
• Miniature photointerrupters  
• Industrial electronics  
• Industrieelektronik  
• For control and drive circuits  
• „Messen/Steuern/Regeln“  
Typ  
Type  
Bestellnummer  
Ordering Code  
BPX 81  
Q62702-P20  
BPX 81-2/3  
BPX 81-3  
BPX 81-3/4  
BPX 81-4  
Q62702-P3583  
Q62702-P43-S3  
Q62702-P3584  
Q62702-P43-S4  
2001-02-21  
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