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BPX8-4

更新时间： 2024-09-15 22:12:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体光电晶体管光电晶体管
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6页	319K
描述
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

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BPX8-4 数据手册

BPX 38

NPN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1120 nm

● Hohe Linearität

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1120 nm

● High linearity

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection, suitable up to 125 °C

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPX 38

Q62702-P15

BPX 38-2

BPX 38-3

BPX 38-4

Q62702-P15-S2

Q62702-P15-S3

Q62702-P15-S4

Q 62702-P15-S5

BPX 38-5

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.

Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we

will reserve us the right of delivering a substitute group.

10.95

Semiconductor Group

217

12 3 4 5 6

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