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BLW32

更新时间: 2024-09-27 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 85K
描述
UHF linear power transistor

BLW32 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS最大集电极电流 (IC):0.65 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRPM-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:10.8 W最大功率耗散 (Abs):10.8 W
最小功率增益 (Gp):11 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3500 MHzBase Number Matches:1

BLW32 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW32  
UHF linear power transistor  
August 1986  
Product specification  

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