BLW32

更新时间： 2024-09-28 08:58:19

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLW32 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	11 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLW32 数据手册

BLW32

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLW32 is Designed for

Television Band IV & V

Applications up to 860 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

45°

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 11 dB at 0.5 W/ 860 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

50 V

#8-32 UNC

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

30 V

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

4.0 V

.572 / 14.53

.130 / 3.30

10.8 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

16 °C/W

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10677

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 2.0 mA

I_C= 15 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 25 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

4.0

0.5

---

I_C= 150 mA

120

h_FE

V_CE= 25 V

f = 860 MHz

P_G

P_OUT= 0.5 W

-60

IMD₁

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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