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BLV909-T

更新时间: 2024-11-11 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 322K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

BLV909-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDSO-G8元件数量:1
端子数量:8最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:29 W最小功率增益 (Gp):9 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLV909-T 数据手册

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