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BLV90

更新时间: 2024-11-20 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 56K
描述
UHF power transistor

BLV90 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65Is Samacsys:N
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):7.5 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLV90 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV90  
UHF power transistor  
February 1996  
Product specification  

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