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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, WITH POLYSILICON EMITTER BALLASTING RESISTORS |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 350 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLV897 | NXP |
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UHF push-pull power transistor |
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| BLV8N60 | ESTEK |
获取价格 |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| BLV90 | NXP |
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UHF power transistor |
|
| BLV90/SL | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BLV902 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 28V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-409B |
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| BLV904 | NXP |
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UHF power transistor |
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| BLV904TRAY | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BLV909 | NXP |
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UHF power transistor |
|
| BLV909-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BLV909T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
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