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BLV861

更新时间: 2024-09-22 22:16:31
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 133K
描述
UHF linear push-pull power transistor

BLV861 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:CERAMIC, SOT-289A, 5 PIN
针数:5Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH POLYSILICON EMITTER BALLASTING RESISTORS外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):30
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F4
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:220 W
最大功率耗散 (Abs):220 W最小功率增益 (Gp):8.5 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLV861 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BLV861  
UHF linear push-pull power  
transistor  
1998 Jan 16  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jan 14  

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