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BLV80-28

更新时间： 2024-11-21 06:44:03

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLV80-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	9 A	基于收集器的最大容量：	150 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	116 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLV80-28 数据手册

BLV80-28

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The BLV80-28 is Designed for

Class C VHF Power

AmplifierApplications up to 175 MHz

28 Volt

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

FEATURES:

• η_C= 65 % min. at 80 W/175 MHz

• P_G= 6.5 dB min. at 80 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

9.0 A

65 V

I_C

V_CBO

V_CEO

P_DISS

T_J

35 V

117 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.5 ^OC/W

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10797

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 25 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

1.5

---

I_C= 3.5 A

100

h_FE

V_CB= 30 V

V_CC= 25 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

150

C_OB

7.0

6.5

P_G

P_OUT= 80 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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