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BLV7002

更新时间： 2024-11-21 03:22:15

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BLV7002

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BLV7002 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

BLV7002 数据手册

BLV7002

BLV7002 N-channel Enhancement Mode

Vertical D-MOS Transistor Chip

Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Features

Very fast switching

Logic level compatible

Applications

Relay driver

High speed line driver

Logic level translator.

Size

Chip size: 495µm ×490µm

structure

Chip thickness: 220±20µm.

Scribe street width: 50µm

Pad size: 90µm x90µm

Die per wafer: 25800

Planar type

Electrodes: Aluminum alloy

Backside metal: Au alloy

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Parameter

Drain – source voltage (DC)

Gate – source voltage (DC)

Drain current (DC)

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

I_DM

P_tot

T_STG

T_j

Min.

Max.

Unit

±20

115

0.46

0.2

+150

150

Peak drain current

Total power dissipation

Storage temperature

Junction temperature

-55

^oC

http://www.belling.com.cn

- 1 -

8/18/2006

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