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BLV59

更新时间： 2024-11-21 08:58:19

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ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLV59 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-CDFM-F6	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLV59 数据手册

ASI BLV59

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLV59 is a Common

Emitter Device Designed for

Class A and AB Amplifier

Applications in TV Band IV-V

Transmitters.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE .230 6FLG.

• Gold Metalization

• Intrnal Matching

• Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

10 A

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

50 V

80 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

-55 ^OC to +150 ^OC

2.2 ^OC/W

1, 3, 4 & 6 = EMITTER

2 = BASE 5 = COLLECTOR

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 20 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BV_EBO

h_FE

5.0

I_C= 1.0A

100

---

C_OB

V_CB= 28 V

V_CE= 25 V

f = 1.0 MHz

P_G

I_CQ= 60 mA

P_OUT= 30.0 W

Chroma = -16 dB

8.0

9.0

-48

IMD₃

Vision = -8.0 dB Sound = -10 dB

dBc

P_G

V_CE= 25 V

I_CQ= 1.6 A

P_OUT= 15 W

IMD₃

Vision = -8.0 dB Sound = -10 dB

Chroma = -16 dB

-60

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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