是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.63 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 33 A |
最大漏极电流 (ID): | 33 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-CDFP-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 225 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLS6G2933S-130,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 | |
BLS6G2933S-130_10 | NXP |
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LDMOS S-band radar power transistor | |
BLS6G3135(S)-120 | NXP |
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RF Manual 16th edition | |
BLS6G3135(S)-20 | NXP |
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RF Manual 16th edition | |
BLS6G3135-120 | NXP |
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LDMOS S-Band radar power transistor | |
BLS6G3135-120,112 | NXP |
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BLS6G3135-120 | |
BLS6G3135-120_08 | NXP |
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LDMOS S-Band radar power transistor | |
BLS6G3135-20 | NXP |
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LDMOS S-Band radar power transistor | |
BLS6G3135-20,112 | NXP |
获取价格 |
BLS6G3135-20 | |
BLS6G3135S-120 | NXP |
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LDMOS S-Band radar power transistor |