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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLS6G2735L-30,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A |
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| BLS6G2735LS-30 | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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| BLS6G2735LS-30,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B |
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| BLS6G2933S-130 | NXP |
获取价格 |
LDMOS S-band radar power transistor |
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| BLS6G2933S-130,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 |
|
| BLS6G2933S-130_10 | NXP |
获取价格 |
LDMOS S-band radar power transistor |
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| BLS6G3135(S)-120 | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
|
| BLS6G3135(S)-20 | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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| BLS6G3135-120 | NXP |
获取价格 |
LDMOS S-Band radar power transistor |
|
| BLS6G3135-120,112 | NXP |
获取价格 |
BLS6G3135-120 |
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