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BLL6G1214L-250,112

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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恩智浦 - NXP		/
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BLL6G1214L-250

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BLL6G1214L-250,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.7	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	91.5 V
最大漏极电流 (ID)：	59 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLL6G1214L-250,112 数据手册

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BLL6G1214L-250

LDMOS L-band radar power transistor

Rev. 1 — 16 February 2012

Preliminary data sheet

1. Product profile

1.1 General description

250 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to

1.4 GHz range.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C; t_p= 1 ms;  = 10 %; I_Dq= 150 mA; in a class-AB

production test circuit.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(GHz)

(W)

250

(dB)

(%)

(ns)

pulsed RF

1.2 to 1.4 36

1.2 Features and benefits

 Typical pulsed RF performance at a frequency of 1.2 GHz to 1.4 GHz, a supply voltage

of 36 V, an I_Dqof 150 mA, a t_pof 1 ms with  of 10 %:

 Output power = 250 W

 Power gain = 15 dB

 Efficiency = 45 %

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequency

range

12 3 4 5 6 7...14

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