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BLF6G38LS-100

更新时间： 2024-11-19 06:42:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	94K
描述
WiMAX power LDMOS transistor

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BLF6G38LS-100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	34 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLF6G38LS-100 数据手册

BLF6G38-100; BLF6G38LS-100

WiMAX power LDMOS transistor

Rev. 01 — 11 November 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

100 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

3400 MHz to 3600 MHz.

Table 1.

Typical performance

Typical RF performance at T_case= 25 °C in a class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DSP_L(AV)P_L(p)G_p

(V) (W) (W) (dB) (%) (dBc)

18.5 130 13

21.5 −47.5^[2]

η_D

ACPR_885kACPR_1980k

(MHz)

(dBc)

−65^[2]

1-carrier N-CDMA^[1]

3400 to 3600 28

[1] Single carrier N-CDMA with pilot, paging, sync and 6 trafﬁc channels (Walsh codes 8 - 13). PAR = 9.7 dB at

0.01 % probability on the CCDF. Channel bandwidth is 1.23 MHz.

[2] Measured within 30 kHz bandwidth.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical 1-carrier N-CDMA performance (Single carrier N-CDMA with pilot, paging,

sync and 6 trafﬁc channels [Walsh codes 8 - 13]. PAR = 9.7 dB at 0.01 % probability

on the CCDF. Channel bandwidth is 1.23 MHz) at a frequency of 3400 MHz, 3500 MHz

and 3600 MHz, a supply voltage of 28 V and an I_Dqof 1050 mA:

I Qualiﬁed up to a maximum V_DSoperation of 32 V

I Integrated ESD protection

I Excellent ruggedness

I High efﬁciency

I Excellent thermal stability

I Designed for broadband operation

I Internally matched for ease of use

I Low gold plating thickness on leads

I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF6G38LS-100,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B
BLF6G38LS-50	NXP	获取价格	WiMAX power LDMOS transistor
BLF6G38LS-50,112	NXP	获取价格	BLF6G38LS-50
BLF6G38LS-50,118	NXP	获取价格	BLF6G38LS-50
BLF6G38S-25	NXP	获取价格	WiMAX power LDMOS transistor
BLF6G38S-25,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
BLF6G38S-25,118	NXP	获取价格	BLF6G38S-25
BLF6H10L(S)-160	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF6H10L-160	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF6H10L-160,112	NXP	获取价格	BLF6H10L-160

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