是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DFM | 包装说明: | SOT-262A1, 4 PIN |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.19 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压: | 125 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 500 W | 最大功率耗散 (Abs): | 500 W |
最小功率增益 (Gp): | 20 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BLF278/01,112 | ETC | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
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BLF278_15 | JMNIC | VHF push-pull power MOS transistor |
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BLF278_2015 | JMNIC | VHF push-pull power MOS transistor |
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BLF3 | LITTELFUSE | Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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BLF30 | LITTELFUSE | Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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BLF346 | NXP | VHF power MOS transistor |
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