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BLF277

更新时间: 2024-11-23 22:39:35
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恩智浦 - NXP 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
13页 105K
描述
VHF power MOS transistor

BLF277 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:110 V最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A
最大漏极电流 (ID):16 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CXFM-F6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:220 W
最大功率耗散 (Abs):220 W最小功率增益 (Gp):14 dB
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:UNSPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLF277 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF277  
VHF power MOS transistor  
September 1992  
Product specification  

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