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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 110 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CXDB-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 13 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF277 | NXP |
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VHF power MOS transistor |
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| BLF278 | NXP |
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VHF push-pull power MOS transistor |
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| BLF278 | ASI |
获取价格 |
VHF POWER MOSFET |
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| BLF278 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5-Pin CDFM |
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| BLF278,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
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| BLF278/01,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
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| BLF278_15 | JMNIC |
获取价格 |
VHF push-pull power MOS transistor |
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| BLF278_2015 | JMNIC |
获取价格 |
VHF push-pull power MOS transistor |
|
| BLF3 | LITTELFUSE |
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Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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| BLF30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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