BLF248

更新时间： 2024-11-05 08:58:11

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描述
VHF POWER MOSFET

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BLF248 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
外壳连接：	SOURCE	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLF248 数据手册

BLF248

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The ASI BLF248 is a Balanced

N-Channel Enhancement-Mode

RF Power MOSFET Designed for AM

and FM Power Amplifier Applications

up to 250 MHz.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(D)

• P_G= 11 dB Typical at 225 MHz

• 5:1 Load VSWR Capability

• Omnigold™ metalization system

MAXIMUM RATINGS

40 A

65 V

I_D

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

±40 V

500 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.35 ^OC/W

T_STG

θ_JC

1 & 2 = DRAIN 3 & 4 = GATE

5 = SOURCE

ORDER CODE: ASI10495

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_DSS

I_D= 100 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

I_DSS

I_GSS

V_GS= 0 V

5.0

1.0

5.0

µA

V_GS= 20 V

I_D= 100 mA

I_D= 5.0 A

V_GS(th)

g_fs

V_DS= 10 V

1.0

3,500

C_iss

380

V_DS= 50 V

V_DD= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

190

C_oss

C_rss

P_G

I_DQ= 2 x 250 mA

P_out= 300 W

f = 225 MHz

η_D

V_SWR= 5:1 AT ALL PHASE ANGLES

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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