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BLF247B

更新时间: 2024-11-04 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 77K
描述
VHF push-pull power MOS transistor

BLF247B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MDFM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):13 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-MDFM-F4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

BLF247B 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF247B  
VHF push-pull power MOS  
transistor  
August 1994  
Product specification  
Philips Semiconductors  

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