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BLF246B,112

更新时间： 2024-11-05 20:11:03

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BLF246B,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	130 W
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	最小功率增益 (Gp)：	14 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

andbook, halfpage

M3D075

BLF246B

VHF push-pull power MOS

transistor

Product speciﬁcation

2003 Aug 04

Supersedes data of 2001 Oct 10

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UF28100M	MACOM	功能相似	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V
BLF246B	NXP	功能相似	VHF push-pull power MOS transistor

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF247B	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET
BLF248	NJSEMI	获取价格
BLF248,112	NXP	获取价格	BLF248
BLF248_15	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248_2015	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF25	LITTELFUSE	获取价格	Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
BLF25M612,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
BLF25M612,118	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B