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BLF246

更新时间： 2024-11-04 22:39:35

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BLF246 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.26	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	130 W	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
最小功率增益 (Gp)：	16 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BLF246

VHF power MOS transistor

1996 Oct 21

Product speciﬁcation

Supersedes data of September 1992

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF246,112	ETC	获取价格	RF FET NCHA 65V 18DB SOT121B
BLF246_15	JMNIC	获取价格	VHF power MOS transistor
BLF246_2015	JMNIC	获取价格	VHF power MOS transistor
BLF246B	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF246B,112	NXP	获取价格	BLF246B
BLF247B	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET
BLF248	NJSEMI	获取价格
BLF248,112	NXP	获取价格	BLF248