生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 130 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BLF246,112 | ETC | RF FET NCHA 65V 18DB SOT121B |
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BLF246_15 | JMNIC | VHF power MOS transistor |
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BLF246_2015 | JMNIC | VHF power MOS transistor |
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BLF246B | NXP | VHF push-pull power MOS transistor |
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BLF246B,112 | NXP | BLF246B |
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BLF247B | NXP | VHF push-pull power MOS transistor |
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