BLF246

更新时间： 2024-11-05 08:58:11

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描述
VHF POWER MOSFET

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BLF246 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF246 数据手册

BLF246

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The ASI BLF246 is a vertical D-MOS

transistor designed for large signal

amplifier applications in the VHF

frequency range.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

FEATURES INCLUDE:

• P_G= 13 dB Typical at 175 MHz

• 30:1 Load VSWR Capability

• Omnigold™ metalization system

MAXIMUM RATINGS

13 A

65 V

I_D

V_DS

V_GS

P_DISS

T_J

± 20 V

130 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +150 °C

-65 °C to +200 °C

1.35 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = DRAIN 2 = GATE 3&4 = SOURCE

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_DSS

I_D= 50 mA

µA

I_DSS

I_GSS

_DS= 28 V

V_GS= 0 V

V_GS= ±20 V

I_D= 50 mA

I_D= 2.5 A

I_D= 5.0 A

2.5

1.0

4.5

_DS= 0 V

V_GS(th)

g_fs

_DS= 10 V

2.0

3.0

4.2

0.2

225

R_DS(on)

C_is

V_GS= 10 V

0.3

Ω

_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

f = 108 MHz

180

C_os

C_rs

P_G

V_DS= 28 V

_DQ= 0.1 A

P_out= 80 W

η_D

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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