是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CERAMIC PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | L BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 25 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLA1011-10,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C | |
BLA1011-2 | NXP |
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Avionics LDMOS transistor | |
BLA1011-2,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A | |
BLA1011-200 | NXP |
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Avionics LDMOS transistor | |
BLA1011-200,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | |
BLA1011-200.112 | NXP |
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200 W LDMOS avionics power transistor for transmitter applications at frequencies from 103 | |
BLA1011-200R | NXP |
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Avionics LDMOS transistors | |
BLA1011-200R,112 | NXP |
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BLA1011-200R | |
BLA1011-300 | NXP |
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Avionics LDMOS transistors | |
BLA1011-300,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A |