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BLA1011-10

更新时间: 2024-09-23 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管电子航空
页数 文件大小 规格书
9页 73K
描述
Avionics LDMOS transistor

BLA1011-10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CERAMIC PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:75 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.2 A
最大漏极电流 (ID):2.2 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLA1011-10 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLA1011-10  
Avionics LDMOS transistor  
Product specification  
2003 Nov 19  
Supersedes data of 2002 Oct 02  

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