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BL6N65F

更新时间： 2024-04-09 19:02:38

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
3页	280K
描述
6.2A, 650V, 40W, N Channel, Power MOSFETs

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BL6N65F 数据手册

Product specification

6A,650V N-Channel Power Mosfet

FEATURES

BL6N65F

R_DS(ON)=1.7Ω@ V_GS= 10V

Lead-free

Ultra low gate charge ( typical 20 nC )

Low reverse transfer Capacitance

( CRSS = typical 10 pF )

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

ITO-220AB

Ordering Information

Part Number

Package

Shipping

Marking Code

BL6N65F□

ITO-220AB

50/Tube

6N65F

□: none is for Lead Free package;

“G” is for Halogen Free package.

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Value

650

Units

Drain-Source voltage

Gate -Source voltage

Continuous Drain Current

±30

6.2

I_DM

Pulsed Drain Current

24.8

440

E_AS

Avalanche Energy

Single Pulsed

titi

V/ns

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation

4.5

P_D

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction Temperature

62.5

+150

℃/W

℃

T_J

T_OPR, Tstg

Operating and Storage Temperature

-55 to +150

℃

MTM5010A

www.gmesemi.com

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