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银河微电 - BL Galaxy Electrical | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 490K | |
描述 | ||
4A, 20V, 2W, P Channel, Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BL3417-3L | BL Galaxy Electrical |
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5A, 30V, 1.25W, P Channel, Power MOSFETs | |
BL3417-6L | BL Galaxy Electrical |
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5A, 30V, 1.6W, P Channel, Power MOSFETs | |
BL3422 | BL Galaxy Electrical |
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30V, N Channel MOSFETs | |
BL3422-3L | BL Galaxy Electrical |
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30V, N Channel MOSFETs | |
BL3428 | BL Galaxy Electrical |
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30V, N Channel, Small Signal MOSFETs | |
BL3428W | BL Galaxy Electrical |
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0.4A, 30V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs | |
BL3439 | BL Galaxy Electrical |
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N:0.75A, 30V, 0.31W, Dual MOSFETs P:-0.4A, -30V, 0.31W, Dual MOSFETs | |
BL34C02A | BELLING |
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BL34C02A提供2048比特串行电可擦写存储器,两个区块组成,每个区块128个字节。 | |
BL34C04A | BELLING |
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BL34C04A提供4096比特串行电可擦写存储器,四个区块组成,每个区块128个字节。 | |
BL34TS04A | BELLING |
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BL34C04A提供4096比特串行电可擦写存储器,四个区块组成,每个区块128个字节。 |