是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 11 dB |
最大输入功率 (CW): | JESD-609代码: | e3 | |
最大工作频率: | 1800 MHz | 最小工作频率: | 100 MHz |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BGA420-E6433 | INFINEON |
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RF/Microwave Amplifier, 1 Func, BIPolar | |
BGA420H6327 | INFINEON |
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RF/Microwave Amplifier, 1 Func, BIPolar | |
BGA425 | INFINEON |
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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (M | |
BGA425E6327 | INFINEON |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 100MHz Min, 1800MHz Max, | |
BGA427 | INFINEON |
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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 W-gain block Unconditionally sta | |
BGA427_07 | INFINEON |
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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie | |
BGA427E6327 | INFINEON |
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Narrow Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 1800MHz Max, 1 Func, BIPolar, | |
BGA427H6327XTSA1 | INFINEON |
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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie | |
BGA428 | INFINEON |
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BGA428 High Gain, Low Noise Amplifier | |
BGA428_07 | INFINEON |
获取价格 |
Gain and PCS Low Noise Amplifier |