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BFY640-01

更新时间： 2024-11-24 14:48:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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7页	122K
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Transistor

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BFY640-01 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	135
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
标称过渡频率 (fT)：	36000 MHz	Base Number Matches：	1

BFY640-01 数据手册

BFY640

NPN Silicon Germanium RF Transistor

Preliminary data

• High gain low noise RF transistor

• Provides outstanding performance

for a wide range of wireless applications

• Outstanding noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz

Outstanding noise figure F = 1 dB at 6 GHZ

• High maximum stable gain

= 24 dB at 1.8 GHz

• Gold metallization for extra high reliability

• 70 GHz f -Silicon Germanium technology

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFY640

Marking

Pin Configuration

Package

MICRO-X1

1=B 2=E 3=C

(ql) Testing level: P: Professional testing

H: High rel quality

S: Space quality

ES: esa qualified

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

CEO

T > 0 °C

3.7

1.2

T ≥ 0 °C

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Total power dissipation

CES

CBO

EBO

°C

200

tot

T ≤ 110 °C

175

250

-65 ... 175

Junction temperature

Soldering temperature

Ambient temperature

Storage temperature

°C

sol

stg

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2006-09-19

12 3 4 5 6 7

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