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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.49 | 基于收集器的最大容量： | 12 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.35 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFY52LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| BFY53 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal |
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| BFY55 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| BFY55 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),TO-39, BIP General Purpose Small Signal |
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| BFY55 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 35V 3-Pin TO-39 Box |
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| BFY55LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| BFY56 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| BFY56 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,1A I(C),TO-39, BIP General Purpose Small Signal |
|
| BFY56A | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| BFY56A | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,55V V(BR)CEO,1A I(C),TO-39, BIP General Purpose Small Signal |
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