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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.46 | 基于收集器的最大容量： | 12 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFY50L | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| BFY50LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| BFY51 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| BFY51 | NXP |
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NPN medium power transistors |
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| BFY51 | STMICROELECTRONICS |
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MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BFY51 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| BFY51 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-39 Box |
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| BFY51D | ZETEX |
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Transistor |
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| BFY51DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH |
|
| BFY51LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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