Datasheet > BFY50

BFY50

更新时间： 2024-11-23 22:39:35

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体放大器晶体管功率放大器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BFY50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BFY50 数据手册

BFY50

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

MEDIUM POWER AMPLIFIERS

NPN SILICON PLANAR

TRANSISTOR

8.89 (0.35)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

Description

4.19 (0.165)

4.95 (0.195)

The BFY50 is a Silicon Planar Epitaxial NPN

Transistor in Jedec TO39 metal case. they

are intended for general purpose linear and

switching applications

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

dia.

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

0.66 (0.026)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45˚

TO39 PACKAGE

Underside View

Pin 1 = Emitter

Pin 2 = Base Pin 3 = Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

80V

35V

CBO

CEO

EBO

Collector Peak Current

1.5A

Total Power Dissipation @ T_amb25°C

@ T_case25°C

0.8W

TOT

Storage and Operatuing Junction Temperature

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction to Ambient

–65 to 200°C

35°C / W

218°C / W

stg, j

j-case

j-amb

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.02/00

中文翻译

下载PDF

与BFY50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFY50_02	SEME-LAB	获取价格	MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
BFY50D	ZETEX	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,CHIP / DIE
BFY50DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH
BFY50L	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5
BFY50LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI
BFY51	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39
BFY51	NXP	获取价格	NPN medium power transistors
BFY51	STMICROELECTRONICS	获取价格	MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY51	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
BFY51	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-39 Box