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BFY50

更新时间: 2024-11-23 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER

BFY50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.17
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:5 W
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BFY50 数据手册

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BFY50/51  
MEDIUM POWER AMPLIFIER  
DESCRIPTION  
The BFY50 and BFY52 are silicon planar  
epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 metal  
case. They are intended for general purpose  
linear and switching applications.  
TO-39  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
BFY50  
80  
BFY51  
60  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
V
A
A
35  
30  
6
1
ICM  
Collector Peak Current (tp < 5 ms)  
1.5  
Ptot  
Total Dissipation at Tamb 25 oC  
0.8  
5
W
W
at Tcase 25 oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 200  
200  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
1/5  
November 1997  

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BC141 STMICROELECTRONICS

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