是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.17 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 35 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 5 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.8 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 60 MHz | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BC141 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFY50_02 | SEME-LAB |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR | |
BFY50D | ZETEX |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,CHIP / DIE | |
BFY50DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH | |
BFY50L | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 | |
BFY50LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI | |
BFY51 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 | |
BFY51 | NXP |
获取价格 |
NPN medium power transistors | |
BFY51 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER | |
BFY51 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors | |
BFY51 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-39 Box |