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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC141 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFY50_02 | SEME-LAB |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
|
| BFY50D | ZETEX |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,CHIP / DIE |
|
| BFY50DWP | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH |
|
| BFY50L | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| BFY50LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| BFY51 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
|
| BFY51 | NXP |
获取价格 |
NPN medium power transistors |
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| BFY51 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BFY51 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| BFY51 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 30V 3-Pin TO-39 Box |
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