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BFW43

更新时间： 2024-01-09 05:36:01

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SEME-LAB		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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BFW43 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

BFW43 数据手册

BFW43

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

PNP SILICON TRANSISTOR

FEATURES

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

• PNP High Voltage Planar Transistor

• Hermetic TO18 Package

2.54 (0.100)

Nom.

• Full Screening Options Available

TO–18 METAL PACKAGE

Underside View

PIN 1 – Emitter

PIN 2 – Base

PIN 3 – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

-150V

case

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage (I = 0)

CBO

CEO

EBO

-150V

-6V

Emitter – Base Voltage (I = 0)

Collector Current

0.1A

Total Device Dissipation T = 25 °C

0.4W

Total Device Dissipation T = 25 °C

1.4W

Storage Temperature

–55 to 200°C

200°C

stg

Max Operating Junction Temperature

Thermal Resistance Junction to Ambient

Thermal Resistance Junction to Case

438°C/W

125°C/W

θJA

θJC

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Document Number 5989

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFW430KJE08	VISHAY	获取价格	RESISTOR, CARBON FILM, 10 W, 5 %, 430000 ohm, CHASSIS MOUNT, LEAD FREE
BFW43M0JE08	VISHAY	获取价格	RESISTOR, CARBON FILM, 10 W, 5 %, 43000000 ohm, CHASSIS MOUNT, LEAD FREE
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