Datasheet > BFU725F/N1

BFU725F/N1

更新时间： 2024-02-15 04:13:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	74K
描述
NPN wideband silicon germanium RF transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BFU725F/N1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLATPACK, R-PDFP-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.32	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	集电极-发射极最大电压：	2.8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	KA BAND
JESD-30 代码：	R-PDFP-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	55000 MHz	Base Number Matches：	1

BFU725F/N1 数据手册

BFU725F/N1

NPN wideband silicon germanium RF transistor

Rev. 01 — 13 July 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a

plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling

electrostatic sensitive devices.

Such precautions are described in the ANSI/ESD S20.20, IEC/ST 61340-5, JESD625-A or

equivalent standards.

1.2 Features

I Low noise high gain microwave transistor

I Noise ﬁgure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz

I High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz

I 110 GHz f_Tsilicon germanium technology

1.3 Applications

I 2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s

I Satellite radio

I Low noise ampliﬁers for microwave communications systems

I WLAN and CDMA applications

I Analog/digital cordless applications

I Ka band oscillators (DRO’s)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

open emitter

Min Typ

Max

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

collector-base voltage

collector-emitter voltage open base

2.8

emitter-base voltage

collector current

open collector

0.55

[1]

P_tot

total power dissipation

DC current gain

_sp≤ 90 °C

136

400

h_FE

I_C= 10 mA; V_CE= 2 V;

160 280

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

BFU725F/N1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFU725F	NXP	类似代替	NPN wideband silicon germanium RF transistor

与BFU725F/N1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFU725F_11	NXP	获取价格	NPN wideband silicon germanium RF transistor
BFU725F-N1	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BFU730F	NXP	获取价格	NPN wideband silicon germanium RF transistor
BFU730FWB	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BFU730LX	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BFU760F	NXP	获取价格	NPN wideband silicon germanium RF transistor
BFU768F	NXP	获取价格	NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor
BFU790F	NXP	获取价格	NPN wideband silicon germanium RF transistor
BFU790F,115	NXP	获取价格	BFU790F - NPN wideband silicon germanium RF transistor DFP 4-Pin
BF-U811	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS