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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DFP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 1.73 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 5.5 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| 最高频带： | KA BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.23 W |
| 子类别： | BIP RF Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFU710F | NXP |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BFU725F | NXP |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BFU725F,150 | NXP |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| BFU725F,240 | NXP |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| BFU725F/N1 | NXP |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BFU725F_11 | NXP |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BFU725F-N1 | NXP |
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RF Manual 16th edition |
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| BFU730F | NXP |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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| BFU730FWB | NXP |
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RF Manual 16th edition |
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| BFU730LX | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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