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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC, SMD, SST3, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 7.91 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 1.5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFT46 | NXP |
完全替代  |
N-channel silicon FET |
|
| MMBF102 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel RF Amplifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFT46/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR JFET SOT-23 |
|
| BFT46DCSM | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 250V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC |
|
| BFT46-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FE |
|
| BFT46T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FE |
|
| BFT46-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
|
| BFT46-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
|
| BFT46TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| BFT46TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
|
| BFT47 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, |
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| BFT470KJF08 | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, CARBON FILM, 6 W, 5 %, 470000 ohm, CHASSIS MOUNT |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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