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| MICRO-ELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 414K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFT41 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
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| BFT44 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BFT44_04 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BFT44S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| BFT45 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistor |
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| BFT45 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| BFT46 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET |
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| BFT46 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| BFT46,215 | NXP |
获取价格 |
BFT46 - N-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| BFT46/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR JFET SOT-23 |
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