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BFS17T116

更新时间： 2024-09-16 20:10:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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BFS17T116 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not RecommendedReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.04最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W最小功率增益 (Gp)：15 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1000 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

BFS17T116 数据手册

 浏览型号BFS17T116的Datasheet PDF文件第2页 
BFS17  
Transistors  
NPN small signal transistor  
BFS17  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) Ideal for RF applications.  
2) Mixers and oscillations in TV tuners.  
3) RF communications equipment.  
BFS17  
2.9  
0.4  
0.95  
0.45  
( )  
3
zPackaging specifications  
( )  
2
( )  
1
0.95  
0.95  
Package  
Taping  
0.15  
1.9  
Type  
Code  
T116  
3000  
(1)Emitter  
(2)Base  
Basic ordering unit (pieces)  
Each lead has same dimensions  
(3)Collector  
BFS17  
Abbreviated symbol : GMA  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
25  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
15  
V
2.5  
V
IC  
0.05  
A
0.20  
0.25  
150  
W
W
°C  
Collector power dissipation  
P
C
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
−55 to 150  
°C  
Mounted on a 7×5×0.6 mm CERAMIC SUBSTRATE  
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
Collector-emitter breakdown voltage BVCBO  
15  
5
−
V
V
I
I
I
C
= 1mA  
−
−
C= 50µA  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector-base cutoff current  
BVEBO  
2.5  
−
−
−
V
E
= 50µA  
I
CBO  
−
0.1  
150  
−
µA  
V
V
V
V
V
V
V
CB= 10V  
CE= 1V, I  
CE= 1V, I  
CE= 5V, I  
20  
20  
−
−
C
C
C
= 2mA  
DC current transfer ratio  
h
FE  
−
−
1000  
−
= 25mA  
= 10mA  
Transition frequency  
f
T
−
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Collector input capacitance  
Collector-base cutoff current  
Cob  
Cib  
−
1.5  
2.0  
10  
CB= 10V, f=1MHz  
CB= 0.5V, f=1MHz  
CB= 10V, Ta=100°C  
−
−
pF  
I
CBO  
−
−
µA  
1/1  
12

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