BFR180W

更新时间： 2024-09-13 22:27:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管功率放大器光电二极管通信
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描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2mA to 2.5mA)

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BFR180W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SOT-323, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.004 A	基于收集器的最大容量：	0.45 pF
集电极-发射极最大电压：	8 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.03 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR180W 数据手册

BFR 180W

NPN Silicon RF Transistor

• For low-power amplifiers in mobile

communication systems (pager) at collector

currents from 0.2mA to 2.5mA

• f = 7GHz

F = 2.1dB at 900MHz

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFR 180W RDs

Q62702-F1490

1 = B

2 = E

3 = C

SOT-323

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

0.5

Total power dissipation

tot

≤

126 °C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction - soldering point

thJS

790

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-11-1996

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFR181	INFINEON	获取价格	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr
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BFR18-11S1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 5 Contact(s), Female-Female
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BFR18-12S1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 6 Contact(s), Female-Female
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