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BFR180E6327

更新时间： 2024-11-18 14:48:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.004A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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BFR180E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	最大集电极电流 (IC)：	0.004 A
基于收集器的最大容量：	0.4 pF	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR180E6327 数据手册

BFR180

NPN Silicon RF Transistor

For low-power amplifiers in mobile

communication systems (pager) at collector

currents from 0.2 mA to 2.5 mA

f = 7 GHz

F = 2.1 dB at 900 MHz

VPS05161

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BFR180

RDs

1 = B

2 = E

3 = C

SOT23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

Base current

0.5

°C

Total power dissipation, T

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

127 °C

tot

150

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

K/W

Junction - soldering point

780

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Jun-27-2001

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BFR18-11P1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 5 Contact(s), Male-Male
BFR18-11S1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 5 Contact(s), Female-Female
BFR18-12P1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 6 Contact(s), Male-Male
BFR18-12S1	ITT	获取价格	Circular Connector Adapter, 6 Contact(s), Female-Female