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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR101BTRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR101BTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| BFR106 | NXP |
获取价格 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
|
| BFR106 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplif |
|
| BFR106 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.1A 3-Pin TO-236AB |
|
| BFR106,215 | NXP |
获取价格 |
BFR106 - NPN 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin |
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| BFR106/C,215 | NXP |
获取价格 |
BFR106 - NPN 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin |
|
| BFR106/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
|
| BFR106_10 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR106_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
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