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BFP420H6740

更新时间： 2024-10-01 14:48:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 556K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP420H6740 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.035 A基于收集器的最大容量：0.3 pF
集电极-发射极最大电压：4.5 V配置：SINGLE
最高频带：X BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25000 MHzBase Number Matches：1

BFP420H6740 数据手册

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BFP420  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For high gain and low noise amplifiers  
3
• Minimum noise figure NF  
= 1.1 dB at 1.8 GHz  
min  
2
1
4
Outstanding G = 21 dB at 1.8 GHz  
ms  
• For oscillators up to 10 GHz  
• Transition frequency f = 25 GHz  
T
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package  
with visible leads  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFP420  
Marking  
AMs  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
SOT343  
-
-
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
V
CEO  
T = 25 °C  
4.5  
4.1  
15  
15  
1.5  
60  
A
T = -55 °C  
A
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
9
210  
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T ≤ 98 °C  
S
150  
Junction temperature  
T
J
Storage temperature  
T
-55 ... 150  
Stg  
1
T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb  
S
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
2013-09-19  
1234567...9

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与BFP420H6740相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFP420H6801 INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, ROHS COM
BFP450 INFINEON

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 		NPN Silicon RF Transistor (For medium power amplifiers)
BFP450_10 INFINEON

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 		High Linearity Low Noise Si NPN RF Transistor
BFP450-E6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 1.25 MM X
BFP450-E6433 INFINEON

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 		Transistor
BFP450H6327 INFINEON

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