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BFP420E6327

更新时间： 2024-01-19 06:27:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
NPN Silicon RF Transistor

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BFP420E6327 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.24 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25000 MHz
Base Number Matches：	1

BFP420E6327 数据手册

BFP420

NPN Silicon RF Transistor

• For high gain low noise amplifiers

• For oscillators up to 10 GHz

• Noise figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz

outstanding G = 21 dB at 1.8 GHz

• Transition frequency f = 25 GHz

• Gold metallization for high reliability

• SIEGET  25 GHz fT - Line

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFP420

Marking

AMs

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C 4=E

Package

SOT343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

T > 0 °C

CEO

4.5

4.1

1.5

T ≤ 0 °C

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CES

CBO

EBO

°C

160

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 107 °C

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2009-12-02

12 3 4 5 6 7...9

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