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BFP405H6740

更新时间： 2024-01-14 21:42:09

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	553K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP405H6740 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
基于收集器的最大容量：	0.1 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25000 MHz
Base Number Matches：	1

BFP405H6740 数据手册

BFP405

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For low current applications

• For oscillators up to 12 GHz

• Minimum noise figure NF

= 1.25 dB at 1.8 GHz

min

Outstanding G = 23 dB at 1.8 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package

with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFP405

Marking

ALs

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C 4=E

Package

SOT343

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

CEO

T = 25 °C

4.5

4.1

1.5

T = -55 °C

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Total power dissipation

CES

CBO

EBO

°C

tot

T ≤ 110 °C

Junction temperature

Ambient temperature

150

-65 ... 150

Storage temperature

Stg

T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb

2013-09-19

12 3 4 5 6 7...9

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