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BFP405H6327XTSA1 PDF预览

BFP405H6327XTSA1

更新时间： 2024-02-15 22:08:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 558K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP405H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.025 A
基于收集器的最大容量：0.1 pF集电极-发射极最大电压：4.5 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25000 MHzBase Number Matches：1

BFP405H6327XTSA1 数据手册

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BFP405  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For low current applications  
• For oscillators up to 12 GHz  
3
2
1
4
• Minimum noise figure NF  
= 1.25 dB at 1.8 GHz  
min  
Outstanding G = 23 dB at 1.8 GHz  
ms  
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package  
with visible leads  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFP405  
Marking  
ALs  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
SOT343  
-
-
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
V
CEO  
T = 25 °C  
4.5  
4.1  
15  
15  
1.5  
25  
3
A
T = -55 °C  
A
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Base current  
Total power dissipation  
V
V
V
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
I
B
1)  
75  
P
tot  
T ≤ 110 °C  
Junction temperature  
Ambient temperature  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
T
J
T
A
Storage temperature  
T
Stg  
1
T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb  
S
1
2013-09-19  
1234567...9

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BFP405H6327XTSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFP405 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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