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BFP405ECSP

更新时间： 2024-02-10 06:31:37

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	71K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.012A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, E-CSP, 4 PIN

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BFP405ECSP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.012 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25000 MHz	Base Number Matches：	1

BFP405ECSP 数据手册

BFP 405ECSP

SIEGET 25

NPN Silicon RF Transistor

Preliminary data

For low current applications

For oscillators up to 12 GHz

Noise figure F = 1.15 dB at 1.8 GHz

outstanding G = 22 dB at 1.8 GHz

Transition frequency f = 25 GHz

Gold metallization for high reliability

SIEGET 25 GHz f - Line

•=Chip Scale Package

typical dimension: 1.0 x 0.6 x 0.5mm

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFP 405ECSP

Marking

ALs

Pin Configuration

2=E 3=C

Package

E-CSP

1=B

4=E

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

4.5

1.5

CEO

CBO

EBO

Base current

tbd

150

Total power dissipation, T = tbd °C

°C

tot

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

tbd

thJS

T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb

Aug-23-2000

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